Условные графические обозначения МДП-транзистора индуцированным каналом n-типа (а) и p-типа (б)
У него нет встроенного канала между областями истока и стока. При отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и стоком не потечет ни при какой полярности напряжения, так как один из p-n-переходов будет обязательно заперт.
Если подать на затвор напряжение положительной полярности относительно истока, то под действием возникающего поперечного электрического поля электроны из областей истока и стока, а также из областей кристалла, будут перемещаться в приповерхностную область по направлению к затвору. Когда напряжение на затворе превысит некоторое пороговое значение, то в приповерхностном слое концентрация электронов повысится настолько, что превысит концентрацию дырок в этой области и здесь произойдет инверсия типа электропроводности, т. е. образуется тонкий канал n-типа и в цепи стока появится ток. Чем больше положительное напряжение на затворе, тем больше проводимость канала и больше ток стока.
Таким образом, такой транзистор может работать только в режиме обогащения. Вид его выходных характеристик и характеристики управления показан на рис.
Если кристалл полупроводника имеет электроприводность n-типа, то области истока и стока должны быть p-типа. Такого же типа проводимости будет индуцироваться и канал, если на затвор подавать отрицательное напряжение относительно истока.
51. Мдп- транзистор со встроенным каналом
Условные графические обозначения МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа (а) и p-типа (б)
Он представляет собой монокристалл полупроводника; обычно кремния, где создана электропроводность какого-либо типа, в рассматриваемом случае p-типа. В нем созданы две области с электропроводностью противоположного типа (в нашем случае n-типа), которые соединены между собой тонким приповерхностным слоем этого же типа проводимости. От этих двух зон сформированы электрические выводы, которые называют истоком и стоком. На поверхности канала имеется слой диэлектрика (обычно диоксида кремния) толщиной порядка , а на нем методом напыления наносится тонкая металлическая пленка, от которой также делается электрический вывод – затвор. Иногда от основания (называемого подложкой (П)) также делается вывод, который накоротко соединяют с истоком.
При подаче на затвор отрицательного напряжения относительно истока, а следовательно и кристалла, в канале возникает поперечное электрическое поле, которое будет выталкивать электроны из области канала в основание. Канал обедняется основными носителями – электронами, его сопротивление увеличивается, и ток стока уменьшается. Чем больше отрицательное напряжение на затворе, тем меньше этот ток. Такой режим называется режимом обеднения.
При подаче на затвор положительного напряжения, относительно истока, направление поперечного электрического поля изменится на противоположное, и оно будет, наоборот, притягивать электроны из областей истока и стока, а также из кристалла полупроводника. Проводимость канала увеличивается, и ток стока возрастает. Такой режим называется режимом обогащения.
Рассмотренный транзистор, таким образом, может работать как в режиме обеднения, так и режиме обогащения токопроводящего канала, что иллюстрируют его выходные характеристики а) и характеристика управления б).
Полупроводниковых элементов постоянно растет. Каждое новое изобретение в этой области, по сути дела, меняет все представление об электронных системах. Меняются схемотехнические возможности в проектировании, появляются новые устройства на их основе. С момента изобретения (1948 г), прошло уже немало времени. Были изобретены структуры "p-n-p" и "n-p-n", Со временем появился и МДП-транзистор, работающий по принципу изменения электрической проводимости приповерхностного полупроводникового слоя под действием электрического поля. Отсюда и еще одно название этого элемента - полевой.
Сама аббревиатура МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) характеризует внутреннее строение этого прибора. И действительно, затвор у него изолирован от стока и истока тонким непроводящим слоем. Современный МДП-транзистор имеет длину затвора, равную 0,6 мкм. Через него может проходить только электромагнитное поле - вот оно и влияет на электрическое состояние полупроводника.
Давайте рассмотрим, как работает и выясним, в чем же его основное отличие от биполярного “собрата”. При появлении необходимого потенциала на его затворе появляется электромагнитное поле. Оно влияет на сопротивление перехода сток-исток перехода. Вот некоторые преимущества, которые дает использование этого прибора.
При проектировании и работе с этими элементами, необходимо учитывать, что МДП-транзисторы очень чувствительны к перенапряжению в схеме и То есть прибор может выйти из строя при прикосновении к управляющим выводам. При монтаже или демонтаже используйте специальное заземление.
Перспективы в использовании этого прибора очень хорошие. Благодаря своим уникальным свойствам, он нашел широкое применение в различной электронной аппаратуре. Инновационным направлением в современной электронике является использование силовых IGBT-модулей для работы в различных цепях, в том числе, и индукционных.
Технология их производства постоянно совершенствуется. Ведутся разработки по масштабированию (уменьшению) длины затвора. Это позволит улучшить и так уже неплохие эксплуатационные параметры прибора.
Полевой транзистор – электрический полупроводниковый прибор, выходной ток которого управляется полем, следовательно, напряжением, одного знака. Формирующий сигнал подается на затвор, регулирует проводимость канала n или p-типа. В отличие от биполярных транзисторов, где сигнал переменной полярности. Вторым признаком назовем формирование тока исключительно основными носителями (одного знака).
Классификация полевых транзисторов
Начнём классификацией. Разновидности полевых транзисторов многочисленны, каждая работает сообразно алгоритму:
Помимо общей классификации придумана специализированная, определяющая принципы работы. Различают:
- Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом.
- Полевые транзисторы с барьером Шоттки.
- Полевые транзисторы с изолированным затвором:
- С встроенным каналом.
- С индуцированным каналом.
В литературе дополнительно упорядочивают структуры следующим образом: применять обозначение МОП нецелесообразно, конструкции на оксидах считают частным случаем МДП (металл, диэлектрик, полупроводник). Барьер Шоттки (МеП) следует отдельно выделять, поскольку это иная структура. Напоминает свойствами p-n-переход. Добавим, что конструктивно в состав транзистора способны входить одновременно диэлектрик (нитрид кремния), оксид (четырехвалентный кремния), как это случилось с КП305. Такие технические решения используются людьми, ищущими методы получения уникальных свойств изделия, удешевления.
Среди зарубежных аббревиатур для полевых транзисторов зарезервировано сочетание FET, иногда обозначает тип управления – с p-n-переходом. В последнем случае наравне с этим встретим JFET. Слова-синонимы. За рубежом принято отделять оксидные (MOSFET, MOS, MOST – синонимы), нитридные (MNS, MNSFET) полевые транзисторы. Наличие барьера Шоттки маркируется SBGT. По-видимому, материал значение, отечественная литература значение факта замалчивает.
Электроды полевых транзисторов на схемах обозначаются: D (drain) – сток, S (source) – исток, G (gate) – затвор. Подложку принято именовать substrate.
Устройство полевого транзистора
Управляющий электрод полевого транзистора называется затвором. Канал образован полупроводником произвольного типа проводимости. Сообразно полярность управляющего напряжения положительная или отрицательная. Поле соответствующего знака вытесняет свободные носители, пока перешеек под электродом затвора не опустеет вовсе. Достигается путем воздействия поля либо на p-n-переход, либо на однородный полупроводник. Ток становится равным нулю. Так работает полевой транзистор.
Ток протекает от истока к стоку, новичков традиционно мучает вопрос различения двух указанных электродов. Отсутствует разница, в каком направлении движутся заряды. Полевой транзистор обратим. Униполярность носителей заряда объясняет малый уровень шумов. Поэтому в технике полевые транзисторы занимают доминирующую позицию.
Ключевой особенностью приборов назовем большое входное сопротивление, в особенности, переменному току. Очевидный факт, проистекающий из управления обратно смещённым p-n-переходом (переходом Шоттки), либо емкости технологического конденсатора в районе изолированного затвора.
Подложки часто выступает нелегированный полупроводник. Для полевых транзисторов с затвором Шоттки — арсенид галлия. В чистом виде неплохой изолятор, к которому в составе изделия предъявляются требования:
Сложно создать значительной толщины слой, отвечающий перечню условий. Поэтому добавляется пятое требование, заключающееся в возможности постепенного наращивания подложки до нужных размеров.
Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и МеП
В этом случае тип проводимости материала затвора отличается от используемого каналом. На практике встретите разные улучшения. Затвор составлен пятью областями, утопленными в канале. Меньшим напряжением удается управлять протеканием тока. Означая увеличение коэффициента усиления.
Биполярный транзистор
В схемах используется обратное смещение p-n-перехода, чем сильнее, тем уже канал для протекания тока. При некотором значении напряжения транзистор запирается. Прямое смещение опасно использовать по той причине, что мощная управляемая цепь может повлиять на контур затвора. Если переход открыт, потечет большой ток, либо приложится высокое напряжение. Нормальный режим обеспечивается правильным подбором полярности и других характеристик источника питания, выбором рабочей точки транзистора.
Однако в некоторых случаях намеренно используются прямые токи затвора. Примечательно, что этот режим могут использовать те МДП-транзисторы, где подложка образует с каналом p-n-переход. Движущийся заряд истока делится между затвором и стоком. Можно найти область, где получается значительный коэффициент усиления по току. Управляется режим затвором. При росте тока iз (до 100 мкА) параметры схемы резко ухудшаются.
Аналогичное включение используется схемой так называемого затворного частотного детектора. Конструкция эксплуатирует выпрямительные свойства p-n-перехода между затвором и каналом. Прямое смещение мало или вовсе нулевое. Прибор по-прежнему управляется током затвора. В цепи стока получается значительное усиление сигнала. Выпрямленное напряжение для затвора является запирающим, изменяется по входному закону. Одновременно с детектированием достигается усиление сигнала. Напряжение цепи стока содержит компоненты:
- Постоянная составляющая. Никак не используется.
- Сигнал с частотой несущей. Заводится на землю путем использования фильтрующих емкостей.
- Сигнал с частотой модулирующего сигнала. Обрабатывается для извлечения заложенной информации.
Недостатком затворного частотного детектора считают большой коэффициент нелинейных искажений. Причем результаты одинаково плохи для слабых (квадратичная зависимость рабочей характеристики) и сильных (выход в режим отсечки) сигналов. Несколько лучшие демонстрирует фазовый детектор на двухзатворном транзисторе. На один управляющий электрод подают опорный сигнал, на стоке образуется информационная составляющая, усиленная полевым транзистором.
Несмотря на большие линейные искажения эффект находит применение. Например, в избирательных усилителях мощности, дозировано пропускающих узкий спектр частот. Гармоники фильтруются, не оказывают большого влияния на итоговое качество работы схемы.
Транзисторы металл-полупроводник (МеП) с барьером Шоттки почти не отличаются от имеющих p-n-переход. По крайней мере, когда дело касается принципов работы. Но благодаря особым качествам перехода металл-полупроводник, изделия способны работать на повышенной частоте (десятки ГГц, граничные частоты в районе 100 ГГц). Одновременно МеП структура проще в реализации, когда дело касается производства и технологических процессов. Частотные характеристики определяются временем заряда затвора и подвижностью носителей (для GaAs свыше 10000 кв. см/В с).
МДП-транзисторы
В МДП-структурах затвор надежно изолирован от канала, управление происходит полностью за счет воздействия поля. Изоляция ведётся за счет оксида кремния или нитрида. Именно эти покрытия проще нанести на поверхности кристалла. Примечательно, что в этом случае также имеются переходы металл-полупроводник в районе истока и стока, как и в любом полярном транзисторе. Об этом факте забывают многие авторы, либо упоминают вскользь путем применения загадочного словосочетания омические контакты.
В теме про диод Шоттки поднимался этот вопрос. Не всегда на стыке металла и полупроводника возникает барьер. В некоторых случаях контакт омический. Это зависит по большей части от особенностей технологической обработки и геометрических размеров. Технические характеристики реальных приборов сильно зависят от различных дефектов оксидного (нитридного) слоя. Вот некоторые:
- Несовершенство кристаллической решетки в поверхностной области обусловлено разорванными связями на границе смены материалов. Влияние оказывают как свободные атомы полупроводника, там и примесей наподобие кислорода, который имеется в любом случае. Например, при использовании методов эпитаксии. В результате появляются энергетические уровни, лежащие в глубине запрещенной зоны.
- На границе оксида и полупроводника (толщиной 3 нм) образуется избыточный заряд, природа которого на сегодняшний день еще не объяснена. Предположительно, роль играют положительные свободные места (дырки) дефектных атомов самого полупроводника и кислорода.
- Дрейф ионизированных атомов натрия, калия и других щелочных металлов происходит при низких напряжениях на электроде. Это увеличивает заряд, скопившийся на границе слоев. Для блокировки этого эффекта в оксиде кремния используют окись фосфора (ангидрид).
На принципиальных схемах можно встретить обозначения полевого транзистора той или иной разновидности.
Чтобы не запутаться и получить наиболее полное представление о том, какой всё-таки транзистор используется в схеме, сопоставим условное графическое обозначение униполярного транзистора и его отличительные свойства, и особенности.
Независимо от разновидности полевого транзистора он имеет три вывода. Один из них называется Затвор (З). Затвор является управляющим электродом, на него подают управляющее напряжение. Следующий вывод зовётся Исток (И). Исток аналогичен эмиттеру у биполярных транзисторов. Третий вывод именуется Сток (С). Сток является выводом, с которого снимается выходной ток.
На зарубежных электронных схемах можно увидеть следующее обозначение выводов униполярных транзисторов:
G – затвор (от англ. – G ate «затвор», «ворота»);
S – исток (от англ. – S ource «источник», «начало»);
D – сток (от англ. – D rain «отток», «утечка»).
Зная зарубежные обозначения выводов полевого транзистора, будет легко разобраться в схемах импортной электроники.
Обозначение полевого транзистора с управляющим p-n – переходом (J-FET).
Итак. Транзистор с управляющим p-n – переходом обозначается на схемах так:
n-канальный J-FET
p-канальный J-FET
В зависимости от типа носителей, которые используются для формирования проводящего канала (область, через которую течёт регулируемый ток), данные транзисторы могут быть n-канальные и p-канальные. На графическом обозначении видно, что n-канальные изображаются со стрелкой, направленной внутрь, а p-канальные наружу.
Обозначение МДП-транзистора.
Униполярные транзисторы МДП типа (MOSFET) имеют немного иное условное графическое обозначение, нежели J-FET"ы c управляющим p-n переходом. MOSFET"ы также могут быть как n-канальными, так и p-канальными.
MOSFET"ы существуют двух типов: со встроенным каналом и индуцированным каналом .
В чём разница?
Разница в том, что транзистор с индуцированным каналом открывается только при подаче на затвор положительного или только отрицательного порогового напряжения. Пороговое напряжение (U пор ) – это напряжение между выводом затвора и истока, при котором полевой транзистор открывается и через него начинает протекать ток стока (I c ).
Полярность порогового напряжения зависит от типа канала. Для мосфетов с p-каналом к затвору необходимо приложить отрицательное «-» напряжение, а для тех, что с n-каналом, положительное «+» напряжение. Мосфеты с индуцированным каналом ещё называют транзисторами обогащённого типа . Поэтому, если услышите, что говориться о мосфете обогащенного типа – знайте, это транзистор с индуцированным каналом. Далее показано его условное обозначение.
n-канальный MOSFET
p-канальный MOSFET
Основное отличие МДП-транзистора с индуцированным каналом от полевого транзистора со встроенным каналом заключается в том, что он открывается только при определённом значении (U пороговое) положительного, либо отрицательного напряжения (зависит от типа канала – n или p).
Транзистор же со встроенным каналом открывается уже при «0», а при отрицательном напряжении на затворе работает в обеднённом режиме (тоже открыт, но пропускает меньше тока). Если же к затвору приложить положительное «+» напряжение, то он продолжит открываться и перейдёт в так называемый режим обогащения - ток стока будет увеличиваться. Данный пример описывает работу n-канального mosfet"а со встроенным каналом. Их ещё называют транзисторами обеднённого типа . Далее показано их условное изображение на схемах.
На условном графическом обозначении отличить транзистор с индуцированным каналом от транзистора со встроенным каналом можно по разрыву вертикальной черты.
Иногда в технической литературе можно увидеть изображение МОП-транзистора с четвёртым выводом, который является продолжением линии стрелки указывающей тип канала. Так вот, четвёртый вывод – это вывод подложки (substrate). Такое изображение мосфета применяется, как правило, для описания дискретного (т.е. отдельного) транзистора и используется лишь как наглядная модель. В процессе производства подложку обычно соединяют с выводом истока.
MOSFET с выводом подложки (substrate)
Обозначение мощного МОП-транзистора
В результате соединения истока и подложки в структуре полевого mosfet"а между истоком и стоком образуется встроенный диод . На работу прибора данный диод не влияет, поскольку в схему он включен в обратном направлении. В некоторых случаях, встроенный диод, который образуется из-за технологических особенностей изготовления мощного MOSFET"а можно использовать на практике. В последних поколениях мощных МОП-транзисторов встроенный диод используется для защиты самого элемента.
Встроенный диод на условном обозначении мощного МДП-транзистора может и не указываться, хотя реально такой диод присутствует в любом мощном полевике.
Рассмотрим принцип действия МДП-транзистора с индуцированным каналом n -типа.
При
постепенном увеличении положительного
относительно истока напряжения
и
на затворе образуется положительный
заряд, а в приповерхностном слое
полупроводника сначала образуется
слой, обедненный основными носителями
подложки (в данном случае - дырками).
При
дальнейшем росте
свободные электроныp
-полупроводника
подложки (собственные, а не примесные)
перемещаются в приповерхностную область
под затвором и образуют индуцированный
(наведенный полем) инверсный (с инверсной
по отношению кp
-полупроводнику
подложки проводимостью) слой, который
и представляет собой каналn
-типа
между истоком и стоком (рис. 10.18).
Напряжение
,
при котором возникает канал, называется
пороговым
.
Канал отделяется от подложки отрицательными
ионами акцепторов, т.е. обедненным
носителями заряда слоем. При
происходит обогащение поверхностного
слоя электронами и уменьшение сопротивления
канала. Такой режим работы МДП-транзистора
называется режимом обогащения. В
МДП-транзисторах с индуцированным
каналом существует только режим
обогащения.
|
|
Если
и напряжение
,
то при протекании по каналу тока стока
эквипотенциальная картина поля,
изображенная на рис. 10.18, нарушается.
Потенциал поверхности под действием
тока стока увеличивается по направлению
от истока к стоку, а разность потенциалов
между затвором и поверхностью уменьшается,
что в конечном итоге сужает канал. При
увеличении напряжения
ток стока
тоже растет с постепенным замедлением
скорости роста. Когда падение напряжения
на объемном сопротивлении канала от
протекающего тока стока
скомпенсирует превышение напряжения
над пороговым, напряжение между стоком
и затвором станет равным
и у стока произойдет смыкание обедненного
слоя с поверхностью полупроводника,
препятствуя дальнейшему росту тока
стока
(рис. 10.19).
Это
называется насыщением тока стока.
Напряжение
,
при котором происходит насыщение тока
стока
,
называется напряжением насыщения
.
|
|
При
дальнейшем увеличении напряжения
сверх
ток стока
незначительно увеличивается только в
силу уменьшения длины канала и,
следовательно, уменьшения сопротивления
канала (рис. 10.20).
|
|
Явление
переноса носителей заряда (в данном
случае электронов) из канала через
обедненную область в сток подобно
переходу зарядов из базы в коллектор
биполярного транзистора через обратно
смещенный pn
-переход
под действием его поля. Все приращения
напряжения
сверх
прикладываются в основном к высокоомной
обедненной области, расположенной у
стока, в результате чего ток стока
почти не увеличивается.
Напряжение
существенно зависит от напряжения на
подложке, так как с его ростом увеличивается
область, обедненная зарядами. Обычно в
МДП-структурах сn
-каналом
на подложку подают наиболее отрицательный
потенциал схемы, чтобы переход «исток
- подложка» всегда был закрыт. Влияние
постоянного напряжения между истоком
и подложкой можно учесть, включив его
с определенным коэффициентом в выражение
для
.
На рис. 10.17 – 10.20 проведены четкие границы между зарядовыми областями МДП-структуры. Реально изменение концентраций зарядов плавное, и резко обозначенных границ между областями зарядов не существует.
При
больших напряжениях на стоке
может произойти пробой МДП-транзистора,
при этом может быть два вида пробоя:
пробойpn
-перехода под
стоком и пробой диэлектрика под затвором.
Пробойpn
-перехода
обычно имеет лавинный характер, так как
МДП-транзисторы изготавливаются обычно
на основе кремния. При этом на пробивное
напряжение
может влиять напряжение на затворе: так
как на сток и на затвор МДП-транзистора
с индуцированным каналом подаются
потенциалы одной полярности, то с
увеличением напряжения на затворе будет
увеличиваться
.
Пробой диэлектрика под затвором может
происходить при напряжении на затворе
всего в несколько десятков вольт, так
как толщина слоя диоксида кремния около
0,1 мкм. Пробой обычно имеет тепловой
характер. Этот вид пробоя может возникать
в результате накопления статических
зарядов, так как входное сопротивление
МДП-транзисторов велико. Для исключения
возможности такого вида пробоя вход
МДП-транзистора часто защищают
стабилитроном, ограничивающим напряжение
на затворе.
Семейство
статических характеристик
при
МДП-транзистора с индуцированным
каналом, построенное в соответствии со
сказанным приведено на рис. 10.21.
участок резкого изменения тока и участок, на котором изменение тока мало.
Параметром
семейства выходных характеристик
биполярного транзистора является ток
базы – прибор управляется током; для
МДП-транзистора с индуцированным каналом
параметром семейства выходных
характеристик является напряжение на
затворе
- прибор управляется напряжением. С
увеличением напряжения
сопротивление канала уменьшается, и
ток стока
возрастает – характеристика идет выше.
Выходные ВАХ МДП-транзистора выходят
из начала координат, в то время как
выходные ВАХ биполярного транзистора
могут быть сдвинуты по оси напряжений.
На
графике семейства
при
МДП – транзистора с индуцированным
каналом (рис. 10.21) можно выделить три
основные рабочие области:
1 –
область отсечки выходного тока: транзистор
закрыт (
),
и в цепи стока протекает малы ток,
обусловленный утечкой и обратным током
стокового перехода (10 -6 А)4
2 –
активная область (пологая часть выходных
ВАХ, для которой
и
)
– область, где выходной ток
остается практически неизменным с
ростом
;
3 –
область открытого состояния (крутая
часть выходной ВАХ): ток
в этой области работы задается внешней
цепью.
Таким образом, в области 1 рабочая точка находится, если МДП-транзистор заперт, в области 3 – если открыт; эти области соответствуют статическим состояниям МДП-транзистора в ключевом режиме эксплуатации. Активная область (область 2) для ключевого режима МДП-транзистора является областью динамического состояния: в этой области рабочая точка находится кратковременно в течение переходного процесса из одного статического состояния в другое (из закрытого в открытое и наоборот).
В активной области рабочая точка находится при эксплуатации МДП-транзистора в усилительном режиме, когда между входными и выходными сигналами сохраняется линейная зависимость.
В
области 4 достаточно больших напряжений
наступают предпробойные явления, а
затем и пробой, сопровождающийся резким
увеличением тока
.
Область пробоя определяет выбор предельно
допустимых напряжений.
Характер
статических характеристик передачи
при
ясен из принципа действия МДП-транзистора
с индуцированным каналом. Характеристики
для разных напряжений
выходят из точки на оси абсцисс,
соответствующей
.(рис.
10.22).
Интересным
и важным с точки зрения применения
МДП-транзисторов является температурное
изменение статических характеристик
передачи. Эти изменения вызваны различными
физическими процессам, которые приводят
к тому, что с увеличением температуры
пороговое напряжение
уменьшается.
быть как отрицательными, так и положительными, а также нулевыми в определенной рабочей точке статических характеристик.
Обычно
эффект температурной компенсации
получается при напряжениях на затворе,
незначительно превышающих
.
Кроме того, еще надо учитывать, что
крутизна
характеристики
передачи, определяющая усилительные
свойства МДП-транзистора, изменяется
с температурой даже при неизменном
постоянном токе стока.
Рассмотрим принцип действия МДП-транзистора со встроенным каналом n -типа (рис. 10.24).
Модуляция
сопротивления проводящего канала может
происходить при изменении напряжения
на затворе как положительной, так и
отрицательной полярности. При напряжениях
и
через каналn
-типа
течет ток. Если
,
то затвор заряжается отрицательно, а в
расположенном под ним приповерхностном
слое вследствие ухода из него свободных
электронов появляется положительный
заряд ионов. Обедненный основными
носителями слой увеличивает сопротивление
канала. При достижении
обедненный слой перекрывает канал, и
ток через него не течет. Имеет место
режим отсечки. При
происходит обогащение канала носителями
заряда (в данном случае электронами),
его сопротивление уменьшается, что
приводит к увеличению тока стока.
Таким образом, МДП-транзистора со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала носителями заряда.
Семейство выходных статических характеристик и статическая характеристика передачи МДП-транзистора со встроенным каналом n -типа приведены на рис. 10.25.
|
|
|
|
выходные статические характеристики |
характеристика передачи |
