Учебно-методическое обеспечение дисциплины (модуля). 1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники

Основная литература

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Лаборатория базовых знаний, 2002

2. Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника. - М.: Гор. линия-Телеком, 2002, - 768 с.

Дополнительная литература

1. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника Учебное пособие для приборостроительных спец. вузов.-2-е изд. перераб. и доп.-М: Высш. шк., 1991

2. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. - М.: Радио и связь, 1991

3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 т. - М.: Мир, 1984

4. Барыбин, В.Г. Сидоров Физико-технологические основы электроники - CПб.: Лань, 2001

5. Токхейм Р. Основы цифровой электроники. Пер. с англ. - М.: Мир, 1988

6. Хоровиц. П., Хилл У. Искусство схемотехники. Т.1- Т.3. - М.: МИР, 1994

7. Ганский П.Н. Машинный анализ и расчет электронных схем: Учебное пособие.- М.: "АВС Паблиш", 1999

8. ПасынковВ.В.,Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. - М.: Высш.шк.,1987

9. Секлоф С. Аналоговые интегральные схемы. Пер. с англ. - М.: Мир. 1988

10. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем, изд.3-е, перераб. и доп. - М., «Энергия», 1973

11. ПасынковВ.В.,Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. - М.:Высш.шк.,1987

12. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. - М.: Высш. шк., 1991

13. Фролкин В.Т., Попов Л.Н. Импульсные и цифровые устройства: Учебное пособие для ВУЗов. - М.: Радио и связь, 1992

14. К. Шимони Физическая электроника. - М.: Энергия, 1972

15. Физическая электроника. - СПб: Ленингр. политехн. ин-т им. М.И. Калинина, 1975

16. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Электроника. Физические и технологические основы, надежность. - М.: Высшая школа, 1986

17. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная электроника. - М.: Высш. шк., 1987

18. Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы. - М., 1990

19. Электроника. Книга IV ГИС, под.ред. Митрофанова, 1987

20. Электроника. Книга V ИПС, под.ред. Митрофанова, 1987

21. Гершунский Б.С. Тугов Н.М. Основы электроники, 1977

22. Глебов Б.А.Чарыков Н.А.Жеребцов В.Г. Полупроводниковые приборы, 1990

23. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника, 1991

24. Алексеенко А.Г. Шагурин И.И. Пухальский Г.Н. Новосельцева Т.Я. Микросхемотехника. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах, 1990

25. Остапенко Г.С. Сборник задач и упражнений. М.:Радио и связь, 1989.

26. Остапенко Г.С. Усилительные устройства. Учебное пособие для вузов. М.:Радио и связь,1989.

Периодические издания

7.3.1 Журналы: «Электроника»; «Радио»; «Успехи зарубежной радиоэлектроники»; «Микропроцессорные средства и системы»; «Приборы и системы управления»; «Зарубежная радиоэлекроника»; «Приборы и техника эксперимента».

Учебное пособие. — 2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Лаборатория базовых знаний, 2001. — 488 с.: ил.Рассмотрены основные аспекты микроэлектроники: физические, технологические и схемотехнические. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обсуждаются виды интегральных схем и схемотехника цифровых и аналоговых ИС. Во 2-ом издании отражены новые фундаментальные достижения в области микроэлектроники, используемые в настоящее время на практике.
Предназначена для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, связанных с созданием и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на ИС.Предисловие ко второму изданию.
Предисловие к первому изданию.Предмет микроэлектроники.
Введение.
Интегральные схемы.
Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов.
Краткий исторический обзор.
Заключение.
Контрольные вопросы.Полупроводники.
Введение.
Структура полупроводников.
Носители заряда.
Энергетические уровни и зоны.
Распределение носителей в зонах проводимости.
Эффект поля.
Рекомбинация носителей.
Законы движения носителей в полупроводниках.
Контрольные вопросы.Полупроводниковые переходы и контакты.
Введение.
Электронно-дырочные переходы.
Контакты полупроводник-металл.
Граница полупроводник-диэлектрик.
Контрольные вопросы.Униполярные транзисторы.
Введение.
МДП-транзисторы.
Полевые транзисторы.
Контрольные вопросы.Физические принципы работы биполярного транзистора и тиристора.
Введение.
Принцип действия.
Распределения носителей.
Коэффициенты усиления тока.
Статические характеристики.
Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры.
Переходные и частотные характеристики.
Тиристор.
Контрольные вопросы.Технологические основы микроэлектроники.
Введение.
Подготовительные операции.
Эпитаксия.
Термическое окисление.
Легирование.
Травление.
Техника масок.
Нанесение тонких пленок.
Металлизация.
Сборочные операции.
Технология тонкопленочных гибридных ИС.
Технология толстопленочных гибридных ИС.
Контрольные вопросы.Элементы интегральных схем.
Введение.
Изоляция элементов.
Транзисторы n-p-n.
Разновидности n-p-n-транзисторов.
Транзисторы p-n-p.
Интегральные диоды.
Полевой транзистор.
МДП-транзисторы.
Полупроводниковые резисторы.
Полупроводниковые конденсаторы.
Элементы ИС на полупроводниках группы А III 1 V .
Элементы пленочных ИС.
Контрольные вопросы.Основы цифровой схемотехники.
Введение.
Статический режим простейшего биполярного ключа.
Переходные процессы в простейшем биполярном ключе.
Ключ с барьером Шоттки.
Переключатель тока.
МДП-транзисторные ключи.
Помехоустойчивость ключей.
Бистабильные ячейки и триггеры.
Триггер Шмитта.
Контрольные вопросы.Основы аналоговой схемотехники.
Введение.
Составные транзисторы.
Статический режим простейшего усилителя.
Переходные процессы в простейшем усилителе.
Простейшие усилители на МДП-транзисторах.
Дифференциальные усилители.
Эмиттерные повторители.
Каскод.
Выходные каскады.
Стабилизаторы напряжения.
Стабилизаторы тока.
Контрольные вопросы.Интегральные схемы.
Введение.
Логические элементы на биполярных транзисторах.
Логические элементы на МДП-транзисторах.
Логические элементы на совмещенных биполярных и МОП-транзисторах (БиКМОП).
Логические элементы на полевых транзисторах с управляющим переходом металл-полупроводник (МЕП).
Параметры логических элементов.
Интегральные триггеры.
Запоминающие устройства.
Большие и сверхбольшие интегральные схемы.
Операционные усилители.
Надежность интегральных схем.
Заключение.
Контрольные вопросы.Заключение. Перспективы развития микроэлектроники.
Литература.

4-е издание, переработанное и дополненное. — М.: Энергия, 1977. — 672 с. с ил.В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Существенно переработана по сравнению с третьим изданием, вышедшим в 1978 г., первая часть книги, во вторую и третью части введены новые главы.
Книга предназначена для инженеров, аспирантов и студентов вузов, специализирующихся по микроэлектронике и прикладной электронике, вычислительной технике, автоматике и приборостроению.Предисловие к четвертому изданию Транзисторы
Полупроводники
Введение.
Структура полупроводников и типы проводимости.
Энергетические зоны твердого тела.
Зонная структура полупроводников.
Законы распределения носителей в зонах полупроводника.
Уровень Ферми.
Концентрация носителей.
Подвижность носителей.
Удельная проводимость и удельное сопротивление.
Рекомбинация носителей.
Законы движения носителей заряда в полупроводниках.
Объемные заряды и поля в полупроводниках.
Кинетика носителей заряда в полупроводниках.
Полупроводниковые диоды
Введение.
Электронно-дырочный переход.
Специальные типы переходов.
Контакты металл-полупроводник.
Анализ идеализированного диода.
Обратная характеристика реального диода.
Пробой перехода.
Прямая характеристика реального диода.
Переходное характеристики диода.
Разновидности полупроводниковых диодов
Точечные диоды.
Полупроводниковые стабилитроны.
Туннельные диоды.
Диоды Шоттки.
Транзисторы
Введение.
Основные процессы в транзисторе.
Статические характеристики транзистора.
Статические параметры транзистора.
Динамические параметры транзистора.
Зависимость параметров от режима и температуры.
Характеристики и параметры транзистора при включении с общим эмиттером.
Разновидности эквивалентных схем.
Собственные шумы транзистора.
Составные транзисторы.
Допустимая мощность и особенности мощных транзисторов.
Дрейфовые транзисторы.
Элементы технологии транзисторов.
Разновидности транзисторов
Точечный транзистор.
Лавинный транзистор.
Тиристоры.
Униполярные (полевые) транзисторы.
Полевые транзисторы с изолированным затвором.Усилители
Статический режим усилительного каскада
Выбор рабочей точки.
Стабильность рабочей точки.
Расчет каскадов по постоянному току.
Усилители с емкостной связью
Введение.
Каскад в области средних частот.
Каскад в области больших времен и низших частот.
Каскад в области малых времен и высших частот.
Многокаскадные усилители.
Обратная связь в усилителя
Введение.
Общие вопросы однонаправленной обратной связи.
Внутренняя обратная связь.
Обратная связь по переменному току.
Обратная связь по постоянному току.
Эмиттерные повторители
Введение.
Простой повторитель.
Сложные повторители.
Каскад с эмиттерным входом
Область средних частот.
Передача фронта импульса.
Каскад с эмиттерной связью.
Каскод.
Усилители с трансформаторной связью
Введение.
Коэффициент трансформации.
Область средних частот.
Область низших частот.
Максимальная частота генерации транзистора.
Мощные выходные каскады
Введение.
Однотактные каскады класса А.
Двухтактные каскады класса В.
Усилители постоянного тока
Введение.
Температурный дрейф.
Однотактные усилители.
Термокомпенсация усилителей.
Усилители с модуляцией сигнала.
Дифференциальный каскад
Введение.
Общие свойства.
Усилительные параметры.
Точностные параметры.
Эволюция схемы и параметров.
Операционные усилители.
Каскад на МДП транзисторах.Импульсные схемы
Транзисторные ключи
Введение.
Статические характеристики ключа ОЭ.
Транзисторные прерыватели.
Метод заряда.
Переходные характеристики ключа ОЭ.
Разновидности насыщенных ключей.
Ненасыщенные ключи.
Мощность, рассеиваемая транзистором в ключевом режиме.
Симметричный триггер
Введение.
Статический режим.
Схемные варианты симметричного триггера.
Переходные процессы в режиме раздельных входов.
Переходные процессы в режиме общего входа.
Триггер с эмиттерной связью
Введение.
Статический режим.
Стабильность порогов срабатывания и отпускания.
Мультивибраторы
Симметричные мультивибраторы.
Мультивибратор с разрядным триггером.
Одновибраторы
Одновибратор с эмиттерной связью.
Одновибратор с разрядным триггером.
Блокинг-генератор
Общее описание.
Интервал между импульсами.
Фронты импульсов.
Вершина импульса.
Выброс напряжения.
Генераторы пилообразного напряжения
Введение.
Общая характеристика и классификация.
Простейшие генераторы с интегрирующей цепочкой.
Генераторы с параметрическим стабилизатором тока.
Генераторы со следящей связью.Источники питания
Преобразователи постоянного напряжения
Принцип действия и классификация.
Анализ преобразователя с трансформаторной обратной связью.
Особенности практической схемы.
Стабилизаторы напряжения
Введение.
Стабилизаторы параллельного типа.
Стабилизаторы последовательного типа.
Сравнение параллельных и последовательных стабилизаторов.
Особенности практических схем.
Методика расчета стабилизаторов.Приложение
Список литературы
Предметный указатель